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三星電容

ST(意法半導(dǎo)體)

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  • 意法半導(dǎo)體 MOSFET STW26NM60N

意法半導(dǎo)體 MOSFET STW26NM60N

類別:ST(意法半導(dǎo)體)

簡介:深圳歐凱鑫銳科技是一家專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商,旗下代理產(chǎn)品包括:三星電容,旺詮電阻,順絡(luò)電感,LRC樂山二極管,AVX鉭電容,TDK電感,強茂MOS管,厚聲電阻,風(fēng)華電容電阻,Suncon電解電容,Johanson電容,國巨電阻,村田Murata電容,太誘電容,大毅電阻,德州TI半導(dǎo)體,英飛凌...

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  • 產(chǎn)品介紹
  • 產(chǎn)品參數(shù)
品牌
ST
批號
2020+
封裝
T0-247
數(shù)量
1000000
制造商
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類
RoHS
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-247-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
600 V
Id-連續(xù)漏極電流
20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
165 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓
2 V
Qg-柵極電荷
60 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20.15 mm
長度
15.75 mm
系列
STW26NM60N
晶體管類型
1 N-Channel Power MOSFET
寬度
5.15 mm
下降時間
50 ns
上升時間
25 ns
典型關(guān)閉延遲時間
85 ns
典型接通延遲時間
13 ns
單位重量
38 g
可售賣地
全國
型號
STW26NM60N

半導(dǎo)體芯片

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